收藏本站
型号 IPB072N15N3 G E8187
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
IPB072N15N3 G E8187 PDF
代理商 IPB072N15N3 G E8187
标准包装 1
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 100A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 7.2 毫欧 @ 100A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 270µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 93nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 5470pF @ 75V
功率 - 最大 300W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 PG-TO263-2
包装 标准包装
其它名称 IPB072N15N3 G E8187DKR
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
同类型PDF
IPB072N15N3 G E8187 Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
IPB072N15N3 G E8187 Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
IPB075N04L G Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3
IPB075N04L G Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3
IPB075N04L G Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3
IPB080N03L G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3
IPB080N03L G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3
IPB080N03L G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3
IPB080N06N G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
IPB080N06N G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
IPB080N06N G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
IPB081N06L3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
IPB081N06L3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
IPB081N06L3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
IPB083N10N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3
IPB083N10N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3
IPB083N10N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3
IPB085N06L G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
IPB085N06L G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
IPB08CN10N G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 95A TO263-3